由于双碳目标及绿色生态的政策倾向，ESG浪潮来袭，以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的第三代半导体慢慢的变成了高性能器件厂商的优先选择，功率器件也成为中国半导体市场的新亮点。

  为解决我国第三代半导体功率器件的良品率低的问题，6月15日矽电-泰克携手共建晶圆级探针测试测量联合实验室正式成立。

  市场调查研究机构Yole最新研究报告说明，全球功率半导体器件市场将从2020年的175亿美元增长至2026年的262亿美元，而其中约70%来自汽车市场。

  随之而来的是第三代半导体芯片和功率器件研发、生产中的测试测量难点和挑战。我国第三代半导体功率器件总的来看良品率低下、生产所带来的成本高、可靠性没办法保证。泰克科技业务拓展经理孙川先生表示，问题的根源在于以SiC为代表的第三代半导体材料晶体生长缓慢,缺陷控制难度大导致成品良品率低,加工难度大等因素是造成碳化硅衬底成本高居不下的重要原因。

  针对以上问题孙川先生指出，现阶段最好方法就是“测试为先”，通过引入更多的测试环节来提升产品的良品率，来进行更多的筛线的处理。其次就是要增加可靠性测试，开发新的可靠性测试的方法。

  泰克（中国）和矽电半导体自2015年开展合作以来，在LED Wafer点测市场，取得了突破和进展。本次泰克和矽电战略合作意向书的签署，将“逐步发展和深化在Wafer Acceptance Test（简称WAT）市场的战略合作，以期进一步开拓中国市场，为客户在WAT测试领域提供整体性解决方案，并为客户减少相关成本以提高竞争力”。

  此联合实验室旨在强化国产化合物半导体功率器件测试验证的能力，进一步探究和优化基于高精度和高吞吐率下的一过性解决方案。实验室提供了可用于12寸、8寸晶圆的全自动探针台，具备支持最高3000V/100A的高压及大电流测试；探针系统测试漏电流支持实现TDDB, NBTI, PBTI, HCI 等测试功能；支持高温测试，温度可达200°C ；特殊绝缘设计避免击穿和打火，静态测试最高电压3000V，动态测试最高电压2000V；搬运/探针部分与测试部分分离，可扩展性强；支持铁环，蓝膜，华夫盒，Tap Reel等进出料方式；支持多台站并行测试。

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